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界面SiO_(x)层对BiFeO_(3)/Si异质结电学性能的影响
南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室人工微结构科学与技术协同创新中心
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肖泽宇
雷林
刘琳
胡雪莉
黄凤珍
吕笑梅
开通知网号
构建铁电/半导体异质结构是现代多功能电子器件的重要发展方向。利用溶胶-凝胶方法在不同温度预处理后的n-Si衬底上制备了BiFeO_(3)薄膜。结果表明,衬底预处理使得样品电滞回线细化变形,同时光电流变弱。结合介电–温度谱以及截面高分辨透射电子显微镜等...
机 构:
南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室人工微结构科学与技术协同创新中心;
领 域:
工业通用技术及设备;
无线电电子学;
材料科学;
关键词:
铁电/半导体异质结;
铁酸铋薄膜;
硅衬底;
氧化硅;
电荷迁移;
格 式:
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