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外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算
桂林电子科技大学材料科学与工程学院;
桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室
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刘赵一
周刚
王智敏
赵维乐
开通知网号
由于具有大的塞贝克系数和电导率,单层InSe具有优异的热电性能。采用第一性原理计算方法系统地研究了外电场作用下单层InSe的结构、电子结构和电荷转移。研究结果表明,当电场强度在0~0.6 V/?时,费米能级附近的导带和价带对外电场的作用不敏感,且带隙...
机 构:
桂林电子科技大学材料科学与工程学院;
桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室;
领 域:
物理学;
关键词:
InSe;
单层InSe;
外电场;
电子结构;
第一性原理;
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桂林电子科技大学学报
2024年03期
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