LaTaO_4陶瓷作为一种极具潜力的铁电材料，其铁电性能受晶体结构与掺杂因素的显著影响，文章聚焦于Sr掺杂对陶瓷和薄膜电学性能的调控研究，运用固相反应法和脉冲激光沉积技术制备了不同Sr掺杂浓度的LaTaO_4陶瓷及薄膜，经对烧结温度与掺杂比例的优化，发现适量Sr掺杂可有效改善LaTaO_4的晶相稳定性及电学性能，尤其是铁电、压电与介电性能。而PLD生长的LaTaO_4薄膜结构质量良好、电学特性优异，掺Sr后薄膜极化强度和频率稳定性显著提升，为其在铁电领域的应用提供了重要依据。