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二氧化钒薄膜的离子掺杂策略
电子科技大学
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高敏
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二氧化钒在室温附近会发生金属-绝缘体相变,单晶二氧化钒的相变温度为341 K。相变前后,其电导率会发生几个数量级的变化,同时其红外-太赫兹波段的光学性能也会发生突变,近些年基于氧化钒的非制冷红外探测已经得到了广泛应用,并且基于其相变性能的红外、太赫兹...
领 域:
无机化工;
材料科学;
工业通用技术及设备;
关键词:
二氧化钒;
薄膜;
离子掺杂;
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